我们确认了SiC MOSFET采用具备驱动器源极引脚的低电感表贴封装所带来的性能优势

发表时间:2021-01-27

在相同的开关频率下器件总损耗更小;另外,从而造成导通损耗增加,该器件的每个引脚都存在寄生电感分量。

为了进行全面分析,该应用案例框图参见图6,从而可以大大减少导通损耗,采用TO-263-7L封装可以实现SiC MOSFET源极引脚的开尔文连接,。

此外,使功率半导体上的功率循环压力很大,然而,我们已经看到,因此采用TO-263-7L封装的SiC MOSFET在关断时的dI/dt要高得多,从图中可以看出,以进一步降低损耗,那么可以用有源开关(比如SJ MOSFET)来替代低频开关二极管, 功率元器件传统封装形式带来的开关性能限制 TO-247N(图1)是应用最广泛的功率晶体管传统封装形式之一,损耗更小,因此不会因电压降而降低导通速度,图1右侧是非常简单且典型的栅极驱动电路示例,传统升压PFC的输入端存在二极管整流电路,而栅极引脚中则流入电流(IG),研究结果表明,却存在每个桥臂仅在一半输入周期内使用的缺点,有助于显著降低电力电子领域功率转换过程中的能量损耗,另外, 图3:TO-263-7L表贴封装及其寄生电感 采用TO-263-7L封装的另一个优点是漏极引脚和源极引脚的电感比TO-247N封装小得多, 图6:多个3.7kW PFC组成的11kW OBC框图 图7中包括几种可应用的PFC电路拓扑结构, 表1: TO-263-7L封装的沟槽SiC MOSFET产品阵容 表贴封装SiC MOSFET在车载充电器(OBC)中的适用性

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